化学机械研磨
半导体设备之CMP 知乎
2021年9月3日 CMP全称为Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光，是半导体晶片表面加工的关键技术之一。单晶硅片制造过程和半制程中需要多次用到化学机械抛光
进一步探索
半导体CMP工艺介绍 芯制造 Chip Manufacturing这可能最简单的半导体工艺流程（一文看懂芯片制作
化学机械抛光 知乎
CMP工艺的基本原理CMP技术所采用的设备及消耗品CMP过程CMP技术的优势
基本原理是将待抛光工件在一定的下压力及抛光液 (由超细颗粒、化学氧化剂和液体介质组成的混合液)的存在 下相对于一个抛光垫作旋转运动,借助磨粒的机械磨削及化学氧化剂的腐蚀作用来完成对工件表面的材料去除,并获得光洁表面。
CMP化学机械抛光 国产化进入从1到10的放量阶段_工艺
2022年7月11日 化学机械平坦化，（Chemical mechanical polishing，简称CMP），也称化学机械抛光，化学机械研磨，是一种高度精确的抛光工艺。 通过纳米级粒子的物理研磨
化学机械抛光技术（CMP）中有哪些核心材料？ 知乎
2022年2月11日 化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing，CMP）技术被誉为是当今时代能实现集成电路（IC）制造中晶圆表面全局平坦化的目唯一技术，可达到原子级
【CMP】化学机械研磨（CMP）工艺制程介绍 芯制
2018年7月22日 教材/PPTNav. 关于我们Products. 工艺流程 氧化淀积 光刻刻蚀 金属化 离子注入 CMP 测试封装 IC词汇 名词缩写 百科知识 行业动态 不限 北京 上海 厦门 2017年 2018年 2018年03月 2018年10月 201804 半
十年磨一剑磨出一篇Science 知乎
2019年12月31日 机械力一般通过研磨、挤压、剪切、摩擦等手段施加，从而诱发反应物化学物理性质变化，使物质与周围环境中的固体、液体、气体发生化学转化。 随着机械行
CMP无损抛光法宝：研磨液（Slurry） 知乎
2022年10月13日 CMP全称为Chemical-Mechanical Planarization，直译过来就是“化学机械平坦化”的意思。 研磨液，英文名称为Slurry ，也可以译为“悬浮液”，指固体颗粒搅拌到水中，不被溶解且分散在液体其中，一旦混
化学机械抛光技术的研究_百度文库
三、化学机械抛光关键技术. 1.研磨研磨垫材料的研究. 研究CPM之，我们需要做的首要工作是选择合适的研磨垫材料。. 目使用比较广泛的研磨垫材料为聚氨酯泡沫、聚酯泡沫
【CMP】化学机械研磨（CMP）工艺制程介绍 芯制
2018年7月22日 教材/PPTNav. 关于我们Products. 工艺流程 氧化淀积 光刻刻蚀 金属化 离子注入 CMP 测试封装 IC词汇 名词缩写 百科知识 行业动态 不限 北京 上海 厦门 2017年 2018年 2018年03月 2018年10月 201804 半
薄晶片的四种主要方法 知乎
2021年1月8日 薄晶片有四种主要方法，（1）机械研磨，（2）化学机械平面化，（3）湿法蚀刻和（4）大气下游等离子体干法化学蚀刻（ADP DCE ）。四种晶片减薄技术由两组组成：研磨和蚀刻。为了研磨晶片，将砂轮和水或化学浆液结合起来与晶片反应并使之变
磨啊磨，磨出一篇顶刊Science 知乎
2020年1月2日 机械化学是一种通过研磨、摩擦等方法，诱发反应物发生物理、化学变化，从而导致反应物与环境中的固、液、气等发生性质和性能的变化。. 在实验研究中，一般采用球磨、超声或者盘磨等机械方式裂解有机小分子或者聚合物的共价键。. 2019年12月20日，
晶圆制造—刻蚀技术-1 知乎
2018年10月13日 刻蚀是使用化学或者物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的过程，常用的设备为刻蚀机等。. 通常的晶圆加工流程中，刻蚀工艺位于光刻工艺之后，有图形的光刻胶层在刻蚀中不会受到腐蚀源的显著侵蚀，从而完成图形转移的工艺步骤。. 为在硅片表
化学“神技术”综述（七）：机械化学，绿色、简便、高效的
2017年1月14日 机械化学的标志是用研磨 法代替常规的实验装置，如自动球磨机代替了加热和搅拌，球磨罐代替了烧瓶和烧杯，研磨介质代替了溶剂。机械化学的反应参数包括频率、介质对样品的重量比等。最常见的反应设备有振摇床和行星式球磨机。振摇床
CMP(化学机械抛光)技术发展优势及应用_的表面
2021年3月3日 CMP-化学机械抛光技术它利用了磨损中的“软磨硬”原理，即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。在一定压力及抛光浆料存在下，被抛光工件相对于抛光垫作相对运动，借助于纳米粒子的研磨作用与氧化剂的腐蚀作用之间的有机结合，在被研磨的工件表面形成光洁表面151.
纳米集成电路制造工艺-第十一章（化学机械平坦化） 知乎
2022年12月5日 化学机械研磨的方法是近期受到极大关注的方法，先是形成尺寸较小的钨互连，化学沉积介电层（ SiO_{2} ），通过光刻和刻蚀形成孔洞，再用物理或化学沉积的方法沉积GST层，通过化学机械研磨来去除孔洞外面的GST，从而形成GST和钨的互连。
硅片背面减薄技术研究 知乎
2021年4月16日 3结论 硅片背面机械研磨减薄是一种物理损伤工艺，减薄会在硅片表面引入机械损伤。文中对比分析了粗磨、精磨、抛光和湿法腐蚀工艺后硅片表面与截面形貌，并且测试了硅片厚度、粗糙度和翘曲度，结合理论分析，得到结论如下：机械研磨减薄工艺中硅片表面形貌和损伤层厚度和研磨减薄砂轮
金属钨化学机械研磨清洗缺陷研究及解决方法
2017年10月14日 金属钨化学机械研磨清洗缺陷研究及解决方法. 摘要：通过研究金属钨化学机械研磨（W CMP）后清洗的一种水痕状的缺陷（Water mark like defect），经过一系列的实验，我们发现这种缺陷产生的原因是具有钨插塞（W Plug）结构的晶片在清洗中 WO3 被溶解，并在随后的
长鑫存储cmp部门pe岗位和中芯国际pie岗位应该怎么选啊？
2021年11月30日 Cmp工艺（硅片化学机械研磨）的话就是负责CMP机台的一些recipe建立，修改，分析CMP 工艺中出现的一些问题。累反正两个岗位都是挺累的，都是打工，还不如选个钱多的。不过也考虑一下城市，看你以后想在上海发展还是在长鑫（我不知道是武汉
化机械抛光工艺(CMP).doc 原创力文档
2018年4月21日 90年代兴起的化学机械抛光技术（CMP）则从加工性能和速度上同时满足硅片图形加工的要求，其也是目唯一可以实现全局平坦化的技术 [1]。. 2.基本原理 2.1 CMP定义 CMP就是用化学腐蚀和机械力对加工过程中的硅晶圆或其它衬底材料进行平滑处理。. 2.2 CMP工作原理
【关注半导体行业】聊聊半导体制程四大重要工序及所需要的
2023年4月19日 熟悉光刻、刻蚀、光学修正、扩散、化学机械研磨 和薄膜生成等加工工艺 3. 拥有半导体工艺整合开发经验者优先 这个职位是招聘工艺制程整合工程师的。而在大型的半导体制造厂，比如中芯国际，制程工程师只负责单一工序，一般材料，物理
研磨和抛光有什么不同？_百度知道
2019年8月8日 1、研磨：利用涂敷或压嵌在研具上的磨料颗粒，通过研具与工件在一定压力下的相对运动对加工表面进行的精整加工。. 2、抛光：
化学机械研磨终点监测方法的研究 豆丁网
2017年2月28日 本论文通过介绍基本的化学机械研磨工艺和业界主流的化学机械研磨设 备，主要探讨了化学机械研磨终点检测技术。. 针对STI (浅槽绝缘)，钨，氧化膜， 铜的工艺特性和技术要求，化学机械研磨设备厂商研制出了不同的技术，如光 学，涡流，实时轮廓控制
半导体设备行业深度报告：市场再创新高，国产化替代空间广阔
2021年2月27日 加快开展光刻机、化学机械 研磨设备等核心设备以及关键零部件的投资布局，保障产业链安全。充分发挥基 金在全产业链布局的优势，持续推进
半导体CMP技术深度报告 知乎
2021年11月29日 半导体CMP技术深度报告. CMP全称为Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光，是半导体晶片表面加工的关键技术之一。. 其中单晶硅片制造过程和半制程中需要多次用到化学机械抛光技术。. 与此普遍使用的机械抛光相比，化学机械抛光能使硅片表面变得更加
一文看懂CMP材料行业（抛光液、抛光垫） 知乎
2020年12月14日 抛光液由超细固体粒子研磨剂、氧化剂、表面活性剂、稳定剂等组成，纳米级的固体粒子用于淹没，氧化剂用于腐蚀溶解，从而实现化学机械相结合的抛光效果。难点在于，根据抛光需求不同，配方也不同，有用于硅、硅氧化物、铜的，有酸性的、践行的，等
半导体制造领域的先进过程控制技术APC 知乎
2020年8月23日 在化学机械研磨工艺生产中，由于消耗品的磨损，一般来说，研磨速率都会随着消耗品的使用时间增加而减低。 在生产中，需要及时更新研磨时间。 现有的控制 CMP 工艺的方法主要有利用非在线测量的 APC 和在线测量的 iAPC。
芯片工艺的主要环节-光刻、刻蚀、掺杂与薄膜沉积 知乎
2021年12月6日 在晶圆上制造芯片需要经过上百个工序，主要的工艺步骤包括光刻、刻蚀、掺杂、薄膜沉积等。. 光刻的目的是把设计好的图形转印到晶圆上。. 首先我们在晶圆上层光刻胶，光刻胶 (正胶)的特性是经过特定频率光线的照射后，可以溶解在显影液里。. 然后将设计
半导体设备行业专题报告：CMP，“小而美”，国产装备崛起
2021年8月24日 CMP（Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光）是半导体制造过程中 实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺。晶圆制造过程主要包括7个相互独立的工艺流程：光刻、刻蚀、薄膜生长、扩散、离子注入、化学机械抛光、金属化。作为晶圆制造的关键制程