SiC单晶片固结磨料化学机械抛光垫研制
SiC单晶片固结磨料化学机械抛光垫研制 百度学术
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SiC单晶片固结磨料化学机械抛光垫研制--《河南理工大学
本文的主要研究内容如下:1.根据游离磨料化学机械抛光垫的物理与化学性质,参考抛光垫基体的表面结构、硬度、磨粒镶嵌的牢固程度和制备的方便程度等指标,通过大量的实验与分
SiC单晶片C面固结磨料化学机械抛光的研究 百度学术
本文研究了三种不同种类的磨料对SiC单晶片去除率的影响.最终选用金刚石磨料作为SiC单晶片的化学机械抛光磨料.结果表明:固结磨料CMP的材料去除率是游离磨料的3倍以上,固结
进一步探索
单晶SiC的化学机械抛光及其增效技术研究进展.pdfsic单晶片研磨过程材料去除率分析与试验研究 豆丁网
单晶SiC基片的化学机械抛光技术研究进展|sic|磨料|金刚石|铁
2020年5月6日 化学机械抛光 (CMP)是目实现单晶SiC基片超精密加工的一种常用且有效方法。 我们综述了单晶SiC基片化学机械抛光加工的研究现状，根据加工原理进行归类并
单晶SiC的化学机械抛光及其增效技术研究进展--《哈尔滨
单晶SiC的化学机械抛光及其增效技术研究进展. 翟文杰 高博. 【摘要】：为了解决传统SiC化学机械抛光(CMP)加工效率低的问题,针对单晶SiC表面抛光质量和材料去除率指标,综述
单晶SiC基片的化学机械抛光技术研究进展--《金刚石与磨料磨
化学机械抛光(CMP)是目实现单晶SiC基片超精密加工的一种常用且有效方法。 我们综述了单晶SiC基片化学机械抛光加工的研究现状,根据加工原理进行归类并分析了各种类别的
单晶SiC的化学机械抛光及其增效技术研究进展 哈尔滨工业
2019年10月24日 摘要: 为了解决传统SiC化学机械抛光(CMP)加工效率低的问题，针对单晶SiC表面抛光质量和材料去除率指标，综述了应用传统碱性抛光液、混合磨粒抛光液及含
SiC单晶片固结磨料化学机械抛光液设计--《河南工业大学
本课题的研究目的是配制出一种适用于抛光SiC单晶片固结磨料化学机械抛光液，实现CMP高质量、高效率的抛光液性能将直接影响到抛光质量和材料去除率，直接关系到SiC晶体的
SiC单晶片固结磨料化学机械抛光液设计 百度学术
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SiC单晶片固结磨料化学机械抛光垫研制-硕士-中文学位【掌
2022年8月17日 当用于GaN基LED的衬底材料比较多，但是能用于商品化的衬底材料，目只有蓝宝石（Al2O3）和碳化硅（SiC）衬底。由于SiC单晶衬底化学稳定性好、导电
蓝宝石的化学机械抛光液研究--《大连理工大学》2021年硕士论文
刘瑞鸿;二氧化硅介质层CMP抛光液研制 及其性能研究[D];大连理工大学;2009年 18 苏建修;IC制造中硅片化学机械抛光材料去除机理研究 刘志响;SiC单晶片固结磨料化学机械抛光垫 研制[D];河南理工大学;2014年 8 王成;铜的固结磨料化学机械研抛工艺[D];南京
硬脆材料（蓝宝石、微晶玻璃）晶片化学机械抛光研究--《安徽
【摘要】：第一章,概述了化学机械抛光技术与应用现状,综述了影响化学机械抛光结果的关键因素及机理。随后概述了硬脆材料(A向蓝宝石和微晶玻璃)的应用以及化学机械抛光现状。第二章,以纳米氧化铝为磨料对A向蓝宝石进行化学机械抛光,实验中考察了磨料浓度、磨料粒径、抛光时间、抛光压力
工艺|详解碳化硅晶片的工艺流程 知乎
2020年12月8日 SiC单晶片的超精密加工工艺，按照其加工顺序，主要经历以下几个过程：定向切割、研磨（粗研磨、精研磨）、抛光（机械抛光）和超精密抛光（化学机械抛光）。01 切割 切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。
固结磨料抛光垫的制备与抛光应用研究 杭州九朋新材料有限
2019年11月18日 固结磨料化学机械抛光技术也正是在这种情况下提出的，将输入变量集中在抛光垫身上，对抛光液和工件特征依赖性很小，是一种由非确定性精密加工转化成半确定性精密加工的绿色加工技术。1.3 固结磨料化学机械抛光技术 1.3.1 FA-CMP 的技术特点及优势
化学——机械制浆法-毕业论文
2019年2月12日 化学——机械制浆法论文栏目下面包含有约197篇化学——机械制浆法硕士学位论文和博士学位论文，或是相关的硕士博士毕业论文。 载入中 很抱谦，您的浏览器并不支持 IFrame，请与管理员联系，也可 点 击这里注册 。
SiC单晶片固结磨料化学机械抛光液设计--《河南工业大学
抛光液的研制是化学机械抛光中的关键技术之一。 本课题的研究目的是配制出一种适用于抛光SiC单晶片固结磨料化学机械抛光液，实现CMP高质量、高效率的抛光液性能将直接影响到抛光质量和材料去除率，直接关系到SiC晶体的表面平坦化。
一文看懂CMP材料行业（抛光液、抛光垫） 知乎
2020年12月14日 在抛光这个工艺中，最重要的两种材料是抛光液和抛光垫。 抛光消耗的成本占比大概就7%，却是半导体生产过程中重复次数最多的步骤，28纳米制程的芯片，全程要12次抛光，现在芯片越来越小，到了10纳米制程，抛光要重复30次，用掉30多种不同的抛光
单晶SiC的化学机械抛光及其增效技术研究进展.pdf 原创力文档
2019年5月25日 压力下进行化学机械抛光，基于 Fe 和 H O 反应 2 2 （Fenton反应），分解产生了强氧化性的 OH，促进 － 2 单晶SiC CMP 增效技术研究进展 表面氧化生成易于去除的SiO ．. 尽管获得了原子级 2 － － 光滑的表面形貌，但 SiC Si 面的材料去除率＜ 2．1 催化辅助SiC CMP增效
碳化硅化学机械抛光工艺--《中国晶体学会第四届全国会员代表
王磊;基于芬顿反应的单晶SiC化学机械抛光液研究[D];广东工业大学;2015年 2 李廷龙;基于感性工学的四轴精磨抛光机人性化设计[D];南京农业大学;2014年 3 张培彦;基于白刚玉微粉的SiC单晶片（0001）C面化学机械抛光研究[D];南京理工大学;2012年 4
碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势综述——浙大科创
2022年10月10日 碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性，传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理，指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。
碳化硅的化学机械抛光-电子工程专辑
2023年7月12日 碳化硅的化学机械抛光. 碳化硅单晶生长之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是没法直接用于外延的，这就需要加工。. 其中，滚圆把晶碇做成标准的圆柱体，线切割会把晶碇切割成晶片，各种表征保证加工的方向，而抛光则是提高晶片的质量。. 晶片的表面会
化学机械抛光终点检测技术研究--《电子工业专用设备》2016
刘志响;SiC单晶片固结磨料化学机械抛光垫研制[D];河南理工大学;2014年 3 翟科;多振子兆声压电换能器及其复合抛光应用研究[D];辽宁工业大学;2016年 4 林广川;化学机械抛光中颗粒运动与材料去除的实验研究[D];清华大学;2015年 5
SiC单晶片CMP超精密加工技术现状与趋势 豆丁网
2011年5月8日 E mail:jeff_1976@163. com SiC单晶片 CMP超精密加工技术现状与趋势 (1 西安理工大学机械与精密仪器工程学院,西安 710048) (2 西安工业大学机电工程学院,西安 710032) 文 摘 综述了半导体材料 SiC抛光技术的发展,介绍了 SiC单晶片 CMP技术的研究现状, 分析了 CMP 的原理和工艺
化学机械抛光中抛光垫的作用研究 豆丁网
2011年3月21日 广东工业大学硕士学位论文 化学机械抛光中抛光垫的作用研究 姓名：熊伟 申请学位级别：硕士 专业：机械制造及其自动化 指导教师：魏昕 摘要 摘要 目化学机械抛光广泛应用于衬底晶片和多层布线的层间平坦化加工中。抛 光垫是化学机械抛光（cMP）系统的重要组成部分，具有贮存抛光液
单晶SiC的化学机械抛光及其增效技术研究进展 哈尔滨工业
2019年10月24日 2.3 固结磨料抛光与游离磨粒(三体磨损)相比，固结磨料(二体磨损)的研抛可控性好，能高效获得超精密研抛表面，同时可节省加工时间和成本. 2015年，台湾国立勤益科技大学的Tsai等 [56] 研制了固结金刚石磨粒的抛光垫，在含Al 2 O 3 自由磨粒和KMnO 4 的
SiC单晶片研磨机理及材料去除率研究--《西安理工大学》2014
该模型考虑了SiC单晶片研磨工艺参数与材料去除率之间的关系,获得研磨过程中各个参数对MRR影响的变化规律,并利用Matlab软件对建立的数学模型仿真分析,验证模型正确性。. 通过SiC单晶片研磨试验,对比分析在不同磨粒粒度、研磨压力、转速等工艺参数下得到的
李军 nuaa.edu.cn
2019年11月19日 [5] 固结磨料化学机械抛光铜的加工方法。中国发明专利，授权号： ZL.6. [6] 一种固结磨料化学机械抛光钽的加工方法。中国发明专利，授权号： ZL.2. [7] 基于固结磨料抛光垫的蓝宝石衬底的超精密
碳化硅(SiC)磨料对陶瓷磨刷性能的影响研究--《印制电路信息
【摘要】：文章以两种不同进口品牌的陶瓷磨刷作为研究对象,使用扫面电镜、光学轮廓测量仪、立体显微镜等分析测试仪器,着重研究了SiC磨料含量、粒径和分散性对陶瓷磨刷性能的影响。研究结果表明:陶瓷磨刷中SiC磨料含量高,粒径小且分散均匀,陶瓷磨刷的切削能力强。
改性抛光剂对光学玻璃抛光质量的影响--《中国激光》2017年12期
1 翁宗兴;;光学玻璃抛光表面的腐蚀[J];光学工艺;1977年03期 2 吴新根,陈琨,李常清,李才生;光学玻璃抛光材料驱体的制备研究[J];江西冶金;2005年04期 3;化学机械抛光装置[J];电镀与涂饰;2000年06期 4 窦振;;影响化工机械表面粗糙度的因素及改善措施[J];民营科技;2012年03期
高端电子制程中钴化学机械抛光剂的研究进展(Ⅰ)──氧化剂
刘志响;SiC单晶片固结磨料化学机械抛光垫研制[D];河南理工大学;2014年 8 顾康康;碱性条件下金属钌及二氧化锆陶瓷的化学机械抛光研究[D];安徽工业大学;2018年 9 张琪翔;基于摩擦磨损机理的单晶SiC化学机械抛光液组分优化研究[D];广东工业大学;2021年